2奈米GAA架構使刻蝕與薄膜沉積步驟數增幅超越EUV，NAND Flash綠地投資啟動、Intel舊製程擴產同步助攻，2027年成長預期更勝2026年

NAND Greenfield新廠重啟、2奈米GAA製程拉高蝕刻與成膜步驟乘數，ASML以外的設備業者（科林研發、科磊）受惠廣度擴大，且中國佔比已降至兩成，禁令衝擊邊際遞減。