半導體後期循環回溫，傳統代工價調漲，成熟製程與第三代半導體在 400V 以上高壓功率與被動元件需求支撐下，稼動率回升、展現扎實抗跌防禦力。

晶圓後期循環啟動，中國成熟製程廠商率先漲價，世界先進等台廠成熟代工價跟進補漲、利用率显著回升，提供在下游本益比修正盤勢下的抗跌安全邊際。

歐美 IDM 大廠交期失控，台廠二工功率元件與高壓 GaN 驗證轉單红利實質發酵。

高壓元件短缺、歐美大廠交期鎖死，受惠於台積電將氮化鎵代工業務主動轉移之轉單紅利。

台積電為支應先進封裝主動調配產能，退出部分氮化鎵代工業務，將其轉移釋單給世界先進直接受惠。

英飛凌ITC勝訴使最大中國GaN代工廠被禁入美，疊加HVDC資料中心架構滲透加速，世界先進與聯電等8吋台系成熟製程廠受惠轉單需求最為直接。